12月30日,国内领先的DRAM制造商长鑫科技股份有限公司已正式递交招股说明书,拟于科创板上市。招股书显示,长鑫科技此次IPO拟募集资金295亿元。
当前全球DRAM市场竞争激烈,作为国产存储龙头,长鑫科技的IPO进程,不仅是其发展的重要里程碑,更是观察中国能否在存储芯片这一关键领域构建具有竞争力的产业体系的关键一役。
业绩、资本与市场:三重动能助推成长
长鑫科技作为国内规模最大、技术最先进的DRAM IDM企业,其行业地位获得多方确认。根据Omdia统计,按产能与出货量计算,长鑫已跻身中国第一、全球第四。按2025年第二季度DRAM销售额统计,其全球市场份额进一步提升至3.97%,增长势头显著。
产能是规模扩张的基石。长鑫科技在合肥、北京等地布局三座12英寸晶圆厂,报告期内产能持续爬坡,产能利用率从85.45%稳步提升至94.63%,为后续放量奠定坚实基础。
在高效产能的支撑下,长鑫的业绩实现高速增长。招股书显示,2022年、2023年、2024年、2025年1-9月,长鑫科技的营业收入分别达82.87亿元、90.87亿元、241.78亿元及320.84亿元,2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元,其中,2025年上半年毛利达20.07亿元,2022年至2024 年主营业务收入复合增长率高达72.04%,呈高速增长态势。
强劲的基本面也吸引了多元资本入驻。长鑫科技的股东阵容涵盖国家集成电路产业投资基金二期、安徽省投等国资力量,以及阿里、腾讯、小米产投等产业资本,形成“国家队+产业方+市场化基金”的协同格局。
与此同时,存储市场正处于上升通道。据Omdia预测,全球DRAM市场规模将从2024年的976亿美元增长至2029年的2045亿美元,年均复合增长率约15.93%。千亿赛道为长鑫科技的持续成长提供了广阔空间。
全谱系产品布局,关键产品性能跻身国际前列
在市场与资本的双重助推下,长鑫科技通过“跳代研发”策略实现技术跨越,已完成四代工艺技术平台量产。长鑫科技构建了覆盖晶圆、芯片、模组的全链条产品体系,并实现了涵盖DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5、LPDDR5X的全谱系布局,可广泛应用于服务器、移动终端、PC及智能汽车等领域。
回溯发展历程,2019年长鑫推出首款国产8Gb DDR4芯片,实现中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。此后持续迭代,LPDDR5X产品速率提升至10667Mbps,DDR5产品速率达8000Mbps,并配套推出七大全场景模组,核心性能已跻身国际先进行列。伴随人工智能带动高端内存需求,长鑫科技重点发力DDR5、LPDDR5等高性能产品,相关收入快速增长,产品升级战略成效显著。
高强度研发与专利体系,构筑长期竞争壁垒
产品迭代与技术突破的背后,是持续且高强度的研发投入。2022年至2025年上半年,长鑫科技累计研发投入达188.67亿元,占同期营收比例达33.11%;2025年上半年研发费用率高达23.71%,显著高于同期行业平均值。截至2025年6月底,公司研发团队规模达4653人,占员工总数超过30%,为技术攻坚提供坚实人才支撑。
高投入亦转化为扎实的专利成果。公司累计拥有5589项专利,其中境外专利2473项,国际化布局完善。2023年,其国际专利申请公开数量位列全球第22;2024年美国专利授权量位居全球第42、中国企业第四,知识产权护城河不断加固。
在数字经济与人工智能浪潮下,DRAM已成为高算力体系的核心组件,更是信息基础设施的战略基石。此次IPO募资将有力支撑长鑫科技进一步拓展全球市场。从国产空白到全球第四,长鑫科技的成长轨迹,映射出中国半导体产业的突围之路。
